京瓷提供用于无线通信器件的射频功率晶体管用封装、薄膜MIC基板、MMIC用封装。
京瓷提供用于射频功率晶体管(即场效应晶体管和高电子迁移率晶体管)的陶瓷和金属钎焊封装。京瓷可提供为高功率器件配套的低电阻的陶瓷穿通和高导热型的热沉。
京瓷还提供微波集成电路用薄膜金属化陶瓷基板和单片微波集成电路用封装。值得一提的是，京瓷为单片微波集成电路用封装提供适合于高达90千兆赫或甚至部分超过90千兆赫的高频率的穿通、射频通孔或电磁耦合结构。
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FET:场效应晶体管 |
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HEMT:高电子迁移率晶体管 |
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MIC:微波集成电路 |
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MMIC:单片微波集成电路 |
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 标准产品目录(英文) (pdf/26KB) |
| 射频功率晶体管用封装 |
(英文) |
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射频功率晶体管用封装 |
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| 薄膜MIC基板 |
(英文) |
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| MMIC用封装 |
(英文) |
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| 相关链接 |
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