电子元器件

电子元器件术语集


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C

存储温度范围(Tstg

存储(非工作时)的环境温度保证范围。

Ch

重复峰值反向电压(VRRM

可重复施加的反向电压的峰值/可在阳极与阴极间重复施加的反向电压的峰值。

触发栅极电流(IGT

导通《晶闸管》所需最小栅极电流。

触发栅极电压(VGT

导通《晶闸管》所需最小栅极电压。

D

电流平方时间积(I²t)

用于计算1ms≦非重复峰值正向电流<10ms的值。

DIP

将电子元器件安装在印刷基板的方法之一。将电子元器件的焊尾(焊接端子)插入基板的通孔,并将其浸入焊锡槽中进行安装的方法。

断态重复峰值电压(VDRM

可在《晶闸管》阳极与阴极间重复施加的断态电压的峰值。

E

EMC

Electromagnetic Compatibility的缩写。兼指EMI、EMS的用语。不产生噪音并不受噪音影响。

EMI

Electromagnetic Interference的缩写。由于电磁现象的干扰波导致电子设备发生故障(电磁干扰)。部件本身不产生噪音。

EMS

Electromagnetic Susceptibility的缩写。由于电磁现象的干扰波导致电子设备发生故障。不受外来噪音影响。

二极管

具有整流作用的半导体元件。电流从阳极流向阴极。

F

反向恢复时间(trr

《二极管》从正向通电状态切换到反向时,恢复反向阻断能力所需时间。

非重复峰值反向电压(VRSM

可非重复施加的反向电压的峰值。

分立式半导体

指的是二极管和晶体管等具备单一功能的半导体。
分立式半导体

峰值反向电流(IRM

施加规定的反向电压时过载的反向电流的峰值。

峰值正向电压(VFM

过载规定的正向电流时的正向电压峰值。

G

工作结温范围(Tjw

《二极管与晶闸管》工作时的结温保证范围。

H

回流

将电子元器件安装在印刷基板上时,在熔炉中熔化涂敷在基板上的焊料并安装电子元器件的方法。

I

IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。电流控制半导体元件。通过控制栅极电压,控制流动于集电极、发射极间的电流。兼具双极性晶体管与MOSFET的特征。

J

集电极电流(IC

《IGBT》可连续过载的集电极电流的最大值。

集电极与发射极间电压(VCES

可在将《IGBT》栅极与发射极间短路后施加在集电极与发射极间的电压的峰值。

晶闸管

电流控制用半导体元件。当向栅极‐阴极施加电流时,阳极-阴极之间将过载巨大电流。
【功率模块】硅可控整流器

晶体管

用于电流控制与电流放大的半导体元件的总称。

K

快恢复二极管(FRD)

PN接面整流器,具有快速反向恢复时间 (trr),适用于高频电源整流的二极管。
【分立式半导体】快恢复二极管(FRD)
【功率模块】快恢复二极管(FRD)
【高功率元器件】快恢复二极管(FRD)

P

平均通态电流(Io)

在《晶闸管》指定的条件下可在商用频率(50Hz/60Hz)下过载的最大通态电流的平均值。

平均整流电流(Io)

在指定的条件下可在商用频率(50Hz/60Hz)下过载的最大平均电流。

普通整流二极管

PN接面整流器,用于整流作为交流的商用频率的二极管。
【分立式半导体】普通整流二极管
【功率模块】普通整流二极管
【高功率元器件】普通整流二极管

R

热阻(Rth)

在热平衡状态下接合部位与周围之间或接合部位与管壳之间等2点之间每单位损失的温差。Rth(j-c):接合与管壳间、Rth(j-l):接合与导线间、Rth(j-a):接合与周围间。

S

SMD

Surface Mount Device的缩写。称SMT(表面封装)用部件为SMD。

SMT(表面封装)

Surface Mount Technology的缩写。将电子元器件安装在印刷基板上的方法之一。在印刷基板表面涂敷焊料,安装部件,然后通过回流炉熔化焊料的安装方法。

T

通态浪涌电流(ITSM

不重复性过载《晶闸管》50Hz正弦波1个周期的最大通态电流的峰值。

X

肖特基势垒二极管(SBD)

利用金属电极与半导体接触产生的电位势垒 (肖特基势垒) 的二极管。
【分立式半导体】肖特基势垒二极管(SBD)
【功率模块】肖特基势垒二极管(SBD)

Y

阳极

电流从外部流入的电极(+极)。

阴极

电流流出到外部的电极(-极)。

Z

总损耗(PD

在管壳温度为25℃时的最大容许功耗。

Zh

正向不重复浪涌电流(IFSM

不重复性过载50Hz或60Hz正弦波1个周期的最大正向电流的峰值。

正向方均根电流(IF(RMS)

可连续通电的正向电流的有效值。

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