产品信息 > 半导体零部件 > 产品展示 > Submount for Laser Diode
提供在氮化铝(AlN) 上施加高精度金属化工艺薄膜的Submount。 氮化铝(AlN)有170、200、230W/mK选项可以选择。 薄膜的构成有Au系薄膜和Cu系薄膜,Au系薄膜采用了LD搭载部无障碍物。 Cu系厚Cu(ex.50μm)电镀,两者LD芯片的搭载部都采用了Au/Sn蒸镀工艺。
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